產(chǎn)品分類
HVPE 法單晶生長(zhǎng)設(shè)備 —立式
所屬分類：
晶體生長(zhǎng)設(shè)備
HVPE法單晶生長(zhǎng)設(shè)備
概要：
適用領(lǐng)域：?jiǎn)尉L(zhǎng)、外延生長(zhǎng) Relevant Industries: Single Crystal Growth, Epitaxial Growth 適用材料: ?GaN（單晶）、AIN（單晶/外延）、Ga2O3（外延） Suitable for Processing: GaN (single crystal),AlN (single crystal / epitaxial)Ga2O3 (epitaxial) 晶圓尺寸:8/6 英寸 Wafer Size: 8/6 inch
關(guān)鍵詞：
HVPE外延爐——立式
HVPE 法單晶生長(zhǎng)設(shè)備 —立式
產(chǎn)品應(yīng)用/Product Applications：
適用領(lǐng)域：?jiǎn)尉L(zhǎng)、外延生長(zhǎng)
Relevant Industries: Single Crystal Growth, Epitaxial Growth
適用材料: GaN（單晶）、AIN（單晶/外延）、Ga2O3（外延）
Suitable for Processing: GaN (single crystal),AlN (single crystal / epitaxial)Ga2O3 (epitaxial)
晶圓尺寸:8/6 英寸
Wafer Size: 8/6 inch
技術(shù)指標(biāo) /Technical Parameters：
加熱溫度：1100℃、1600℃（高溫HVPE)
Heating Temperature: 1100℃, 1600°C (high-temperature HVPE)
加熱方式：電阻
Heating Method:Resistance
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PVT法長(zhǎng)晶爐——電阻爐
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